Применяемые методы неразрушающего контроля:
- электрические измерения элементов БИС;
- ИК микроскопия;
- УЗ микроскопия;
- растровая электронная микроскопия;
- травление ионным сфокусированным пучком;
- послойное травление;
- атомно-силовая микроскопия.
Возможности лаборатории:
- анализ отказов изделий микроэлектроники;
- анализ брака при производстве изделий микроэлектроники;
- локальное изменение топологии («ремонт») микросхем;
- создание МЕМС структур;
- диагностика наноматериалов.
Анализ отказов изделий микроэлектроники
Исследование тепловых режимов
ИК изображение работающего генератора. Светящаяся область – буферный каскад, работающий на большую нагрузку.
ИК изображение неработоспособного генератора. Светящиеся точки – пробитые электростатическим электричеством транзисторы.
ИК изображение тестовой структуры, предназначенной для контроля замыкания токопроводящих шин в различных слоях. Светящаяся точка – замыкание.
Исследование вертикальных разрезов
Вертикальное сечение элемента памяти.
Вертикальное сечение вольфрамового контакта с внутренним дефектом.
Планарный вид электростатического пробоя СБИС.
Вертикальное сечение места электростатического пробоя СБИС.
Ультразвуковые исследования
УЗ изображение поверхности исследуемого образца, изготовленного по МЕМС технологии.
УЗ изображение на глубине ~ 20 мкм.
УЗ изображение на глубине ~ 80 мкм.
3D изображение.
Исследование материалов
Изображение во вторичных электронах.
Распределение алюминия.
Распределение кремния.
