Нанодиагностика

Применяемые методы неразрушающего контроля:

  • электрические измерения элементов БИС;
  • ИК микроскопия;
  • УЗ микроскопия;
  • растровая электронная микроскопия;
  • травление ионным сфокусированным пучком;
  • послойное травление;
  • атомно-силовая микроскопия.


 

Возможности лаборатории:

  • анализ отказов изделий микроэлектроники;
  • анализ брака при производстве изделий микроэлектроники;
  • локальное изменение топологии («ремонт») микросхем;
  • создание МЕМС структур;
  • диагностика наноматериалов.

Анализ отказов изделий микроэлектроники
 

Исследование тепловых режимов
 

ИК изображение работающего генератора. Светящаяся область – буферный каскад, работающий на большую нагрузку.

 

ИК изображение неработоспособного генератора. Светящиеся точки – пробитые электростатическим электричеством транзисторы.

 

ИК изображение тестовой структуры, предназначенной для контроля замыкания токопроводящих шин в различных слоях. Светящаяся точка – замыкание.


 

Исследование вертикальных разрезов
 

Вертикальное сечение элемента памяти.


Вертикальное сечение вольфрамового контакта с внутренним дефектом.

 

Планарный вид электростатического пробоя СБИС.


Вертикальное сечение места электростатического пробоя СБИС.



Ультразвуковые исследования
 

УЗ изображение поверхности исследуемого образца, изготовленного по МЕМС технологии.


УЗ изображение на глубине ~ 20 мкм.


УЗ изображение на глубине ~ 80 мкм.


3D изображение.



Исследование материалов


Изображение во вторичных электронах.


Распределение алюминия.

 

Распределение кремния.

Оставьте заявку

Мы свяжемся с Вами в ближайшее время